传统 MALDI 基质的簇离子与加合峰集中在 m/z < 700，严重干扰药物、代谢物等小分子成像（即小分子基质干扰）。无基质路线从源头削弱该背景，是代谢物成像的重要方向。
此外免去喷涂缩短前处理、降低分子迁移风险，提升通量与可重复性。
一类是用特殊靶面（如硅纳米柱、金属辅助基质）直接在表面诱导解吸电离，减少外加基质；另一类是升华沉积极薄基质层以压低背景；还有表面辅助激光解吸（SALDI）等变体。
这些方式各有适用分子与背景水平，需针对待测物验证；并非所有分子都适合无基质，覆盖度可能低于常规 MALDI。
新策源 LDPI（激光诱导光化学电离）与 DPI（双光电离）在原理上即免基质：它们不依赖 MALDI 基质，以光化学步骤在常压、免基质环境下电离，从源头消除基质背景并省去前处理。
因此“无基质 MALDI”与“免基质源（LDPI/DPI）”目标一致（低背景、短前处理），但实现路径不同：前者改造 MALDI 基质环节，后者换用电离机制。
对小分子、代谢物、药物分布成像，优先评估免基质源（LDPI/DPI）或无基质 MALDI 方案，并以目标分子实测信噪比为判据；对大分子且接受基质者，常规 MALDI 仍成熟。
建议将背景控制与基质均匀性（若用 MALDI）写入 SOP，并配合高分辨质量精度区分残余干扰。
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